-
Độ tinh khiết & cách điện cực cao: Loại Al₂O₃ 99,5%-99,99%, điện trở suất thể tích >10¹⁴ Ω·cm, lý tưởng cho cách điện điện áp cao trong máy khắc ICP và máy cấy ion.
-
Khả năng chống plasma cực cao: Vượt trội hơn thạch anh trong môi trường plasma Cl₂/CF₄, giảm tần suất thay thế 60% và giảm chi phí bảo trì.
-
Độ ổn định nhiệt: Chịu được nhiệt độ lên tới 1600°C, hệ số giãn nở nhiệt (7-8×10⁻⁶/°C) khớp hoàn hảo với tấm wafer silicon, loại bỏ các lỗi do ứng suất nhiệt.
-
Tuân thủ Phòng sạch Cấp 1: Bề mặt hoàn thiện gương (Ra < 0,01μm) với lượng hạt phát ra tối thiểu, an toàn cho các bộ phận tiếp xúc trực tiếp với wafer.Ứng dụng
