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Ultra alta pureza e aislamiento: 99,5%-99,99% grado de Al2O3, resistividad de volumen > 1014 Ω · cm, ideal para aislamiento de alto voltaje en grabadores ICP e implantadores iónicos.
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Resistencia al plasma extrema: supera al cuarzo en entornos de plasma Cl2/CF4, reduciendo la frecuencia de reemplazo en un 60% y reduciendo los costos de mantenimiento.
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Estabilidad térmica: Resiste hasta 1600 °C, el coeficiente de expansión térmica (7-8×10−6/°C) coincide perfectamente con las obleas de silicio, eliminando las fallas de esfuerzo térmico.
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Clasificación 1 de conformidad con la norma de sala limpia: superficie de acabado espejo (Ra < 0,01 μm) con una liberación mínima de partículas, segura para los componentes de contacto directo con la oblea.
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