-
Ultra wysoka czystość i izolacja: 99,5%-99,99% Al2O3, rezystywność objętościowa > 1014 Ω·cm, idealna do izolacji wysokiego napięcia w etserze ICP i implantach jonowych.
-
Ekstremalna odporność na plazmę: przewyższa kwarc w środowiskach plazmowych Cl2/CF4, zmniejsza częstotliwość wymiany o 60% i obniża koszty utrzymania.
-
Stabilność termiczna: wytrzymuje do 1600°C, współczynnik rozszerzenia termicznego (7-8×10−6/°C) doskonale pasuje do płytek krzemowych, eliminując awarie naprężenia termicznego.
-
Zgodność z normami klasy 1: powierzchnia lustrzana (Ra < 0,01 μm) z minimalnym uwalnianiem cząstek, bezpieczna dla elementów w bezpośrednim kontakcie z płytką.
chat now
chat now
chat now
