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Ultra-alta purezza e isolamento: 99,5%-99,99% grado Al2O3, resistività volumetrica > 1014 Ω·cm, ideale per l'isolamento ad alta tensione negli incisivi ICP e negli impiantatori ionici.
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Estrema resistenza al plasma: supera il quarzo negli ambienti plasmatici Cl2/CF4, riducendo la frequenza di sostituzione del 60% e riducendo i costi di manutenzione.
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Stabilità termica: resiste fino a 1600°C, il coefficiente di espansione termica (7-8×10−6/°C) si adatta perfettamente ai wafer di silicio, eliminando i guasti da stress termico.
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Classe 1 conformità in camera pulita: superficie di finitura a specchio (Ra < 0,01 μm) con rilascio minimo di particelle, sicura per i componenti a contatto diretto con il wafer.
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