-
Ultra-Alta Pureza e Isolamento: 99,5%-99,99% grau Al2O3, resistividade de volume > 1014 Ω·cm, ideal para isolamento de alta tensão em gravadores ICP e implantadores de íons.
-
Resistência ao plasma extrema: supera o quartzo em ambientes de plasma Cl2/CF4, reduzindo a frequência de substituição em 60% e reduzindo os custos de manutenção.
-
Estabilidade térmica: Resiste a até 1600°C, o coeficiente de expansão térmica (7-8×10−6/°C) combina perfeitamente com as wafers de silício, eliminando falhas de estresse térmico.
-
Classe 1 Conformidade com a norma de sala limpa: superfície de acabamento de espelho (Ra < 0,01 μm) com liberação mínima de partículas, segura para componentes em contacto direto com a bolacha.
chat now
chat now
chat now
chat now
chat now
