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Ultra-haute pureté et isolation: 99,5% à 99,99% de qualité Al2O3, résistivité de volume > 1014 Ω·cm, idéale pour l'isolation haute tension dans les graveurs ICP et les implantateurs ioniques.
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Résistance au plasma extrême: surpasse le quartz dans les environnements plasmatiques Cl2/CF4, réduisant la fréquence de remplacement de 60% et réduisant les coûts de maintenance.
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Stabilité thermique: résiste jusqu'à 1600°C, le coefficient d'expansion thermique (7-8×10−6/°C) correspond parfaitement aux plaquettes de silicium, éliminant les défaillances de contrainte thermique.
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Conformité à la classe 1 des salles blanches: surface de finition miroir (Ra < 0,01 μm) avec une libération minimale de particules, sans danger pour les composants en contact direct avec la gaufre.
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