-
Ultrahohe Reinheit und Isolierung: 99,5%-99,99% Al2O3-Gehalt, Volumenwiderstand > 1014 Ω·cm, ideal für Hochspannungisolierung in ICP-Etsern und Ionenimplantatoren.
-
Extreme Plasma-Widerstandsfähigkeit: Übertrifft Quarz in Cl2/CF4-Plasma-Umgebungen, reduziert die Ersatzfrequenz um 60% und senkt die Wartungskosten.
-
Thermische Stabilität: Hält bis zu 1600°C stand, der Wärmeausdehnungskoeffizient (7-8×10−6/°C) passt perfekt zu Siliziumwafern und eliminiert thermische Belastungsfehler.
-
Klasse 1 Reinraumkonformität: Spiegelfläche (Ra < 0,01μm) mit minimalem Partikelfreisetzen, sicher für direktkontaktierte Waferkomponenten.
chat now
chat now
chat now
chat now
