| Materiaal: | Keramisch aluminiumoxide met hoge zuiverheid (Al2O3 ≥ 99,8%) | Oppervlakte vlakheid: | ≤ 0,003 mm (3 μm) |
|---|---|---|---|
| Parallellisme: | ≤ 0,003 mm (3 μm) | Bulkdichtheid: | ≥ 3,92 g/cm³ |
| Hardheid: | 1550 HV1 / 91 HRA | Diëlektrische sterkte: | 25 kV/mm |
| Maximale werktemperatuur: | 1400°C (continu) / 1600°C (piek op korte termijn) | Oppervlakteruwheid: | Ra 0,2 μm ~ Ra 0,4 μm |
| Chemische en plasmaresistentie: | Bestand tegen CF4-, CHF3-, SF6-, Cl2- en BCl3-plasma's | Bewerkingsvermogen: | 5-assig CNC-frezen, concentrische labyrintgroeven, verzinkgaten |
Precision Advanced Ceramics — Custom Semiconductor Plasma Etch Focus Ring & Pedestal Base Specialist Over a decade of dedicated expertise in high-purity advanced technical ceramics. Delivering high-precision engineered ceramic components for global semiconductor fabrication, wafer etching equipment, and precision vacuum systems. Product Overview Specification Table Summary : Alumina Purity: ≥ 99.8% (Al2O3) Bulk Density: ≥ 3.92 g/cm³ Surface Flatness: ≤ 0.003 mm (3 μm, Laser