| Lugar de origem: | China Yixing |
|---|---|
| Marca: | HY |
| Certificação: | CE |
| Número do modelo: | HY-DHGJP-1 |
| Quantidade de ordem mínima: | 10 partes |
| Preço: | negotiable |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de madeira |
| Tempo de entrega: | 20-30 dias de trabalho |
| Termos de pagamento: | L/C, D/P, T/T, Western Union |
| Habilidade da fonte: | 10000 PCes por semanas |
| Característica: | auto-lubrificação livre de óleo | Nome do produto: | Microplaqueta básica cerâmica do nitreto de silicone |
|---|---|---|---|
| Cor: | Preto | Força de dobra: | >600Mpa |
| dureza dos vickers: | >15GPa | Condutibilidade térmica: | >60W/m.k |
| Tamanho: | Personalização | ||
| Destacar: | Cerâmica baseada alumina do nitreto de silicone,a alumina baseou a anti oxidação da cerâmica,Alumina livre do óleo cerâmica |
||
automóvel elétrico integrado de tecnologia militar de circuito eletrônico da cerâmica do nitreto de silicone microplaqueta básica
nome do produto: Microplaqueta básica cerâmica do nitreto de silicone
Campos da aplicação:
A escala da aplicação da carcaça cerâmica do nitreto de silicone: carcaça da dissipação de calor, carcaça do circuito eletrônico do poder. Tem as características da condutibilidade térmica de grande resistência, alta e da confiança alta. Pode ser usada para fabricar circuitos na superfície pelo processo de gravação com água-forte molhado. Após o chapeamento de superfície, um material da carcaça para o empacotamento eletrônico do módulo da carcaça da confiança alta é obtido. É um material da carcaça para o módulo de controle do poder 1681 para veículos elétricos novos.
Além, a indústria cerâmica da carcaça igualmente envolve o diodo emissor de luz, a produção cerâmica fina, a metalização do filme fino, a micro-sombra clara amarela, o molde do laser, o chapeamento eletroquímico, a simulação ótica, a soldadura microeletrónica e os outros campos da tecnologia. Os produtos estão no campo de dispositivos de alta potência tais como emissores do poder, dispositivos fotovoltaicos optoelectronic e de semicondutor, IGBTs, módulos, tiristores do poder, bases do ressonador, semicondutor que empacota e placas de carregamento.
Índice do produto:
| característica | especificação | detectando o instrumento | |
|
propriedades de material |
Densidade microscópica | ≥3.22g/cm3 | GB/T1033 |
| força de dobra | >600MPa | ASTM C1161-2013 | |
| módulo young | >310GPa | ASTM C1259-2014 | |
| dureza dos vickers | >15GPa | ASTM C1327-2015 | |
| dureza da fratura | 6.5MPa/√m | ASTM C1421 | |
| condutibilidade térmica | >60W/m.k | 25℃, ASTM D5470 | |
|
coeficiente da expansão térmica
|
2.6*10-6/k | 40-400℃, ASTM D696 | |
| 2.6*10-6/k | 40-800℃, ASTM 696 | ||
|
propriedades elétricas |
constante dielétrica | 7,8 | 1MHz, ASTM D2419 |
| perda dielétrica | 4*10-4 | 1MHz, ASTM D2419 | |
| resistividade de volume | >1014Ω | 25℃, ASTM D2739 | |
| tensão de divisão | >15KV/mm | ASTM D149 |
Imagens dos campos da aplicação:
![]()
![]()