詳細情報

色:	白からオフホワイトまで	潤滑:	自己潤滑
材料:	窒化ホウ素(BN)	製造方法:	ホットプレス、化学蒸着 (CVD)、焼結
熱膨張係数:	2.5～3.5×10⁻⁶/K	最高動作温度:	空気中では 1000℃まで、不活性雰囲気中では 3000℃まで
タイプ:	セラミック	電気伝導率:	電気絶縁体
密度:	2.1 - 2.3 g/cm3	アプリケーション:	エレクトロニクス、高温絶縁体、潤滑剤、化粧品
硬度:	モース硬度 2 ～ 2.5	熱伝導率:	60～200W/m・K
絶縁耐力:	15～30kV/mm	機械的強度:	適度な曲げ強度
純度:	通常 > 99%	最高使用温度:	不活性雰囲気で最高 2800°C
クリスタル構造:	六角	製品名:	熱分解窒化ホウ素セラミックス
electricalResistivity:	10¹3 - 10¹5 Ω・cm	熱伝導率:	60～120W/m・K
熱膨張係数:	2.5～3.5×10⁻⁶/K	介電力強度:	10～20kV/mm
機械的強度:	曲げ強度約1.5kg 40～60MPa	気孔率:	通常 < 0.5%
潤滑性:	優れた自己潤滑性	化学的安定性:	溶融金属およびほとんどの酸に対する耐性
ハイライト:	高熱伝導性PBN 溶融器 , 高純度VGF・クレージーブル

製品の説明

ピロリティスボロンナイトライド VGF 溶解炉高純度PBN 溶解炉 GaAs / InP シングルクリスタル成長

記述

ピロリティックボロンナイトライド VGF 溶融器垂直用として設計された超高純度CVD PBNのピグブルです

グラディエントフリーズ (VGF) 成長のGaAs,InPおよび他の化合物半導体

密集した不透孔構造,低排気量,優れた熱安定性により安定した結晶の成長が保証されます

高級半導体および光電子アプリケーションにおける低汚染と一貫したインゴット品質

プラズマ腐食が生産を妨げるのか?

密集した高純度構造を備えていますプラズマの腐食に効果的に抵抗する.

電子機器および半導体産業におけるプラズマ処理用途のために設計されている.

磨きを最小限に抑え寿命を延長し安定したプロセス出力を保証します

プラズマダメージからあなたの操作を保護します優れた耐腐蝕性のために私たちのPBNセラミック・クレシブルを信頼します

PBN セラミック用品:

- 結晶の成長 (VGF,LEC)

- 分子ビームエピタキシ (MBE)

- MOCVDヒーター

- PBN 赤外線窓

- 移動波チューブ (TWT) (PBN サポートストッド)

- PBN 塗装グラフィット

- 高温,真空装置の隔熱器

商品の特徴:

>高度な純度 (99.999%)>高温での低排出 >均質厚さ,熱の安定性
>優れた熱伝導性と衝撃耐性
>簡単に清掃し再利用できる
>惰性,酸やアルカリと反応しない

ポイント

ユニット

PBN

表面的密度

g/cm3

2.15-219

ガスの透透性 (He)

cm3/s

<1X10-10

マイクロ硬さ (Knoop)

N/mm2

691.88 (a-b平面)

張力強度

N/mm2

153.86 (平行)

折りたたみ強度

N/mm2

243.63 (平行)

197.76 (平行)

弾力度電極

N/mm2

235690

固有熱容量

Cal/g°C

0.371 ((@ 200°C)

0.442 ((@ 900°C)

熱伝導性 200°C

W/cm.k

0.6 (平行)

0.026 (垂直)

熱伝導性 900°C

W/cm.k

0.4370 (平行)

0.028 (垂直)

変電電強度 (RT)

KV/mm

56

容積抵抗性

Cm

3.11X1011

PBN 製品リスト

ピロリシスボロンナイトリド	クライシブル	OLED クライシブル
		VGF クリシブル
		LEC クライシブル
		MBE クルーシブル
	ボート	PBN ボート
	プレート	PBN 隔熱リング/基板
	プレート	PBNプレート
ピロリシスグラフィット	/	PGプレート
ピロリシスグラフィット	/	PG クリシブル

PBN セラミックの種類

OEMと0BMは,あなたの図面と要求に応じてすることができます.

梱包
よくある質問
Q1.あなたは製品サンプルを提供していますか?はい,私たちは入手可能に応じてサンプルを提供しています.一部の場合,名目サンプル料金が適用され,送料は顧客が負担します.
 
Q2.あなたの受け入れられている支払い方法は?私たちはT/T (銀行振込),Western Union,Alipay,PayPalを事前に受け入れます.
 
Q3. 典型的な配達期間は何ですか? 配達期間は,材料の選択,寸法,特定の製造プロセスを含む製品要件によって異なります.
 
Q4. 発送前には品質検査を行っていますか? はい,すべての商品が指定された基準を満たしていることを確認するために,配送前に100%の検査を行います.
 
Q5. 他のセラミック材料はどのようなものですか? 私たちは,アルミナ,ジルコニア,アルミニウムナイトライド,ボロンナイトライド,シリコンナイトライド,機械化ガラスセラミックを含む高度なセラミック材料の範囲を供給します.関連専門セラミック

タグ:

起源の場所:	中国
ブランド名:	YH
証明:	ISO,CE,ROHS

最小注文数量:	2
価格:	Negotiated
パッケージの詳細:	カートンによって
受渡し時間:	約50日
支払条件:	L/C、D/A、T/T、Western Union、D/P
供給の能力:	1か月あたり1000pcs

高熱伝導性 PBN VGF 高純度ガアスインプシングルクリスタル成長

高熱伝導性PBN 溶融器

高純度VGF・クレージーブル

ピロリティスボロンナイトライド VGF 溶解炉高純度PBN 溶解炉 GaAs / InP シングルクリスタル成長

ピロリティックボロンナイトライド VGF 溶融器垂直用として設計された超高純度CVD PBNのピグブルです

グラディエントフリーズ (VGF) 成長のGaAs,InPおよび他の化合物半導体

密集した不透孔構造,低排気量,優れた熱安定性により安定した結晶の成長が保証されます

高級半導体および光電子アプリケーションにおける低汚染と一貫したインゴット品質

pbn セラミックス,

ピロリシスボロンナイトリドの部品,

pbn セラミック部品

カスタム熱分解窒化ホウ素るつぼ PBN MBEるつぼ耐食性

高純度99.999% PBN ピロリティックボロンナイトリドリング耐磨性

高精度PBN熱分解窒化ホウ素セラミックス複合ヒーター基板

カスタムPBN PGセラミック基板複合加熱エレメント耐食性

半導体産業向けTGA VGF MBE PBN熱分解窒化ホウ素セラミックるつぼ

99.99% ピロリティスボロンナイトリド陶器耐震性耐震性

高純度ピロリティックPBNセラミクスVGF MBE OLED LEC メルト半導体サガー

半導体結晶の成長アプリケーションのための高級アルミナセラミック・クライシブル

ポイント	ユニット	PBN
表面的密度	g/cm³	2.15-219
ガスの透透性 (He)	cm3/s	<1X10-10
マイクロ硬さ (Knoop)	N/mm2	691.88 (a-b平面)
張力強度	N/mm2	153.86 (平行)
折りたたみ強度	N/mm2	243.63 (平行)	197.76 (平行)
弾力度電極	N/mm2	235690
固有熱容量	Cal/g°C	0.371 ((@ 200°C)	0.442 ((@ 900°C)
熱伝導性 200°C	W/cm.k	0.6 (平行)	0.026 (垂直)
熱伝導性 900°C	W/cm.k	0.4370 (平行)	0.028 (垂直)
変電電強度 (RT)	KV/mm	56
容積抵抗性	Cm	3.11X1011

高熱伝導性 PBN VGF 高純度ガアスインプシングルクリスタル成長

高熱伝導性PBN 溶融器

高純度VGF・クレージーブル

ピロリティスボロンナイトライド VGF 溶解炉 高純度PBN 溶解炉 GaAs / InP シングルクリスタル 成長

ピロリティックボロンナイトライド VGF 溶融器垂直用として設計された超高純度CVD PBNのピグブルです

グラディエントフリーズ (VGF) 成長のGaAs,InPおよび他の化合物半導体

密集した不透孔構造,低排気量,優れた熱安定性により 安定した結晶の成長が保証されます

高級半導体および光電子アプリケーションにおける低汚染と一貫したインゴット品質

pbn セラミックス,

ピロリシスボロンナイトリドの部品,

ピロリティスボロンナイトライド VGF 溶解炉高純度PBN 溶解炉 GaAs / InP シングルクリスタル成長

密集した不透孔構造,低排気量,優れた熱安定性により安定した結晶の成長が保証されます