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高熱伝導性アルミナイトリドアルンセラミックシート半導体

起源の場所:	中国
ブランド名:	YH
証明:	ISO
モデル番号:	YH-A

最小注文数量:	10
価格:	Negotiated
パッケージの詳細:	カートン
受渡し時間:	5-8weeks
支払条件:	L/C、T/T、ウェスタンユニオン
供給の能力:	10000個/月

ベストプライス

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熱膨張係数:	4.5-5.3×10^-6/K	誘電率:	8.5-9.5
動作温度範囲:	-40°Cから1000°C	熱伝導率:	170-200W/mK
アプリケーション:	エレクトロニクス、ヒートシンク、基板	表面仕上げ:	研磨または焼結のまま
密度:	3.26 g/cm3	電気抵抗率:	1x10^14オーム-cm
純度:	99.5％以上	材料:	窒化アルミニウム（AlN）
耐圧:	10～15kV/mm	色:	ライトグレーから白
フォームファクター:	カスタマイズ可能な形状とサイズ
ハイライト:	アルミナイトリドアルンセラミックシート , アルン半導体用セラミックシート

製品の説明

電子半導体用高熱伝導率窒化アルミニウム AlN セラミックシートプレート基板

半導体ウェハー加工において、精度、熱均一性、電気絶縁性が不可欠な場合、

熱伝導率170 W/(m・K)の窒化アルミニウム（AlN）特殊形状部品は、ゲームチェンジャーとなるソリューションです。

高純度AlNセラミックシート、プレート、ボードから作られたこれらのカスタム加工された特殊形状部品は、

ウェハーハンドリング、加熱・冷却システムの厳しい要求を満たすように設計されています。優れた熱伝導率（従来のアルミナセラミックをはるかに凌駕）とシリコンに完全に一致する熱膨張係数により、当社のAlN部品（特殊形状部品）は、

ウェハーの反りを防ぎ、プロセス安定性を向上させる、迅速で均一な熱伝達を保証します。カスタム設計のウェハーチャック、

ヒーターブロック、または熱シールドであっても、これらの部品はCVD、エッチング、および成膜プロセスで信頼性の高いパフォーマンスを提供し、

半導体製造ラインの収率と効率の向上を可能にします。

応用

高熱伝導性アルミナイトリドアルンセラミックシート半導体 0 高熱伝導性アルミナイトリドアルンセラミックシート半導体 1

窒化アルミニウム部品の応用:
窒化アルミニウム粉末（AlN）の一般的な純度レベルとその典型的な応用例を以下に示します。
1. 工業グレード純度
・純度範囲：95% - 98%・応用：高純度が重要でない用途、例えば基本的なセラミック
材料や複合材料などに一般的に使用されます。
2. 高純度
・純度範囲：99% - 99.5%・応用：ほとんどの電子パッケージングおよび熱管理用途、および
高性能セラミック材料に適しています。
3. 超高純度
・純度範囲：99.5% - 99.99%・応用：極めて高い純度が必要とされる先進的な電子パッケージング、LEDパッケージング、および高性能触媒
担体に使用されます。
4. 特殊純度
・純度範囲：>99.99%・応用：航空宇宙や軍事分野など、特定の科学研究および高精度技術用途に使用されます。選択の推奨事項
・用途要件に基づく選択：用途によって純度要件が異なります。適切な純度を選択することで、パフォーマンスとコストのバランスを取ることができます。
標準サイズ長さ x 幅 (mm)

			厚さ (mm)

			2'' x 2''

			Φ26

3'' x 3''
(76.2 x 76.2)

4'' x 4''
(101.6 x101.6)

4.5'' x 4.5''

			(114.3 x 114.3)

5'' x 5''
(127 x 127)

0.385
0.5

			0.635

			1.0

			直径 (mm)

			厚さ (mm)

			Φ16 Φ19 Φ20

			Φ26

Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ801.01.2

			1.5

			2.0

			2.5

			代替品を凌駕する性能

			項目

単位

	
			基準値

			試験方法

			熱伝導率

			W/m・K

			＞170

			過渡平面源法

			表面粗さ

			μm

			＜0.6

			スタイラス表面粗さ計

			反り

			 / 

			＜2.5‰

			ガラスゲージ

			見かけ密度

			g/cm

			3

			≧3.26排水法

			曲げ強度

			MPa

			＞300

			三点曲げ抵抗法

			体積抵抗率

			Ω・cm

			1.5x10

			13

			(TYP)体積抵抗率計誘電率

			@1MHz

			8.9 (TYP)

			-4

			誘電正接

			Kv/mm

			4.6×10

			-4

			(TYP)インピーダンス法破壊電圧

			Kv/mm

			36.85(TYP)

			DC電源法

			線膨張係数

			1×10

			-6

			/℃4.75(TYP)熱機械

			各種

			窒化アルミニウムシート

図面および要件に従ってOEMおよび0BMに対応可能です。優れた材料特性

:

技術的優位性* 高純度材料：不純物が最小限の99%以上のAlN組成。

* 先進的な製造：無圧焼結技術により均一な密度を実現。 

.

* 精密エンジニアリング：±0.05mmの寸法公差保証。.  

* 複数の仕上げ：焼成面、研磨面、または金属化面が利用可能です。品質認証* ISO 9001:2015認証製造 
* バッチ間の一貫性保証  
* 完全なトレーサビリティ文書 
* RoHS & REACH & CE準拠
梱包 
Hunan Yuanhong New Material Co.,Ltdは2016年に設立され、8000平方メートル以上の生産ワークショップに100セット以上のセラミック専門機器と数種類の炉があります。ISO9001認証を取得しており、様々な先進セラミック材料はROHSおよびREACH認証を取得しています。
 
よくある質問
 
			Q1. 製品サンプルを提供していますか？ はい、在庫があればサンプルを提供しています。場合によっては少額のサンプル手数料がかかることがあり、送料はお客様のご負担となります。
		
Q2. どのような支払い方法が利用できますか？ T/T（銀行振込）による前払い、ウェスタンユニオン、アリペイ、ペイパルを受け付けています。
Q3. 通常のリードタイムはどのくらいですか？ リードタイムは、材料選択、寸法、特定の製造プロセスを含む製品要件によって異なります。
 
Q4. 出荷前に品質検査を行いますか？ はい、すべての商品の100%検査を実施し、仕様基準を満たしていることを確認してから出荷します。
 
Q5. 他にどのようなセラミック材料を提供していますか？ アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、加工可能なガラスセラミック、および関連する特殊セラミックなど、さまざまな先進セラミック材料を提供しています。

タグ:

アルミナセラミック

ジルコニアセラミックス

窒化アルミニウムセラミックス

熱分解窒化ホウ素セラミックス

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高熱伝導性アルミナイトリドアルンセラミックシート半導体

アルミナイトリドアルンセラミックシート

アルン半導体用セラミックシート

電子半導体用高熱伝導率窒化アルミニウム AlN セラミックシートプレート基板

・純度範囲：95% - 98%

・純度範囲：99% - 99.5%

・純度範囲：99.5% - 99.99%

・純度範囲：>99.99%

標準サイズ

AIN窒化アルミニウム,

AINセラミックス,

アルミナイトリドアルンセラミックシート

HTCC ALN アルミナイトリドセラミック熱シート高熱伝導性

窒化アルミニウムセラミックプレートディスク工業用セラミック曲げ加工サービス

オーダーメイド特殊形アルミニウムナイトライドセラミック部品構造部品

電子部品用窒化アルミニウムセラミックAIN基板パッド絶縁体

アルミニウムナイトリドセラミックプレート電気セラミック

カスタマイズ可能な窒化アルミニウム (AlN) 部品、AlN構造部品、チューブスリーブ

OEM 高温AIN部品半導体窒化アルミニウムパイプチューブ

カスタム加工 AINパーツアルミナイトリド Ain セラミックヒートシンク 3.26 g/cm3

厚さ (mm)
2'' x 2''					Φ26
3'' x 3'' (76.2 x 76.2)	4'' x 4'' (101.6 x101.6)	4.5'' x 4.5'' (114.3 x 114.3)	5'' x 5'' (127 x 127)	0.385 0.5	0.635
					1.0
					直径 (mm)
					厚さ (mm)
Φ16 Φ19 Φ20					Φ26
Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ801.01.2					1.5
					2.0
					2.5
					代替品を凌駕する性能
					項目

基準値	試験方法	熱伝導率	W/m・K
＞170	過渡平面源法	表面粗さ	μm
＜0.6	スタイラス表面粗さ計	反り	/
＜2.5‰	ガラスゲージ	見かけ密度	g/cm
3	≧3.26^排水法	曲げ強度	MPa
＞300	三点曲げ抵抗法	体積抵抗率	Ω・cm
1.5x10	13	(TYP)^{体積抵抗率計}誘電率	@1MHz
8.9 (TYP)	-4	誘電正接	Kv/mm
4.6×10	-4	(TYP)^{インピーダンス法}破壊電圧	Kv/mm
36.85(TYP)	DC電源法	線膨張係数	1×10
-6	/℃^4.75(TYP)熱機械	各種	窒化アルミニウムシート

高熱伝導性 アルミナイトリド アルン セラミックシート 半導体

アルミナイトリドアルンセラミックシート

アルン 半導体用セラミックシート

電子半導体用 高熱伝導率窒化アルミニウム AlN セラミックシートプレート基板

・純度範囲：95% - 98%

・純度範囲：99% - 99.5%

・純度範囲：99.5% - 99.99%

・純度範囲：>99.99%

標準サイズ

AIN窒化アルミニウム,

AINセラミックス,

高熱伝導性アルミナイトリドアルンセラミックシート半導体

アルン半導体用セラミックシート

電子半導体用高熱伝導率窒化アルミニウム AlN セラミックシートプレート基板