Detailinformationen

Wärmeleitkoeffizient:	4,5-5,3 x10^-6 /K	Dielektrizitätskonstante:	8,5-9,5
Betriebstemperaturbereich:	-40 °C bis 1000 °C	Wärmeleitfähigkeit:	170-200 W/mK
Anwendungen:	Elektronik, Kühlkörper, Substrate	Oberflächenbeschaffenheit:	Poliert oder gesintert
Dichte:	3,26 g/cm³	Elektrischer Widerstand:	1x10^14 Ohm-cm
Reinheit:	99,5% oder höher	Material:	Aluminium-Nitrid (AlN)
Durchbruchspannung:	10-15 kV/mm	Farbe:	Hellgrau bis weiß
Formfaktor:	Anpassbare Formen und Größen
Hervorheben:	Aluminiumnitrid Keramik AlN-Blatt , AIN Substrat hoher Reinheit

Produkt-Beschreibung

Aluminiumnitrid-Keramik von hoher Qualität/AlN-Blatt/Platte/Substrat

Halbleiter-Wafer-Etsch- und Ablagerungsprozesse erfordern eine präzise thermische Steuerung, um Prozessgleichheit und Waferqualität zu gewährleisten.

Unsere speziell geformten AlN-Keramikteile mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170 W/m·K sind für diese anspruchsvollen Anwendungen perfekt geeignet.

Diese kundenspezifischen Bauteile, wie z. B. Waferschubs, werden mit Hilfe fortschrittlicher Bearbeitungstechnologie aus hochwertiger AlN-Keramik hergestellt.

Heizplatten und Wärmeschilde bieten eine hervorragende thermische Einheitlichkeit, wodurch Temperaturveränderungen über die Waferoberfläche hinweg vermieden werden.

Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist perfekt auf Silizium abgestimmt, wodurch die Waferverformung verhindert und einheitliche Prozessergebnisse gewährleistet werden.

Mit ihrer hervorragenden Korrosionsbeständigkeit gegen rauhe Prozessgase und hohem Temperaturgehalt halten diese AlN-Sonderteile

Vertrauen Sie ihnen, um Ihre Ätz- und Ablagerungsprozesse zu optimieren, um die Produktionserträge und die Waferqualität zu steigern.

Aluminiumnitrid Keramik AlN-Blatt/Platte/Substrat hoher Reinheit REACH CE-konform 0

Anwendung
Anwendung von Aluminiumnitridteilen:
Hier sind die üblichen Reinheitsniveaus von Aluminiumnitridpulver (AlN) und ihre typischen Anwendungen:
1. Reinheit in industrieller Qualität•Reinheitsbereich: 95% bis 98%•Anwendungen: Im Allgemeinen in Anwendungen verwendet, in denen eine hohe Reinheit nicht kritisch ist, wie z.B. Basiskeramik
Materialien und Verbundwerkstoffe.
2Hohe Reinheit.•Reinheitsbereich: 99% - 99,5%•Anwendungen: Geeignet für die meisten elektronischen Verpackungen und thermische Anwendungen sowie
hochwertige Keramikmaterialien.
3. Ultra-hohe Reinheit•Reinheitsbereich: 99,5% - 99,99%•Anwendungen: In fortschrittlichen elektronischen Verpackungen, LED-Verpackungen und Hochleistungskatalysatoren verwendet
Stützen, bei denen eine äußerst hohe Reinheit erforderlich ist.
4Spezielle Reinheit.•Reinheitsbereich: > 99,99%•Anwendungen: In spezifischen wissenschaftlichen Forschungs- und hochpräzisen Technologieanwendungen, wie
Luft- und Raumfahrt und militärische Bereiche.
Auswahlempfehlungen•Auswahl nach Anwendungsbedarf: Verschiedene Anwendungen haben unterschiedliche Reinheitsanforderungen.

Regelmäßige Größe

Länge x Breite (mm)

Stärke (mm)

2' x 2'
(50,8 x 50,8)

3' x 3'
(76,2 x 76,2)

4' x 4'
(101.6 x 101.6)

4.5' x 4,5'
(114,3 x 114,3)

5' x 5'
(127 x 127)

0.385

0.5

0.635

1.0

Durchmesser (mm)

Stärke (mm)

Φ16 Φ19 Φ20Φ26Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ80

1.0

1.2

1.5

2.0

2.5

Leistung, die Alternativen übertrifft

Artikel

Einheit

Referenzwert

Prüfmethode

Wärmeleitfähigkeit

W/m·K

> 170

Übergangsflächenquellenmethode

Oberflächenrauheit

μm

< 06

Stylus Oberflächenrauheitsmessgerät

Warpage

/

< 2,5‰

Glasmessgerät

Anscheinende Dichte

G/cm3

≥ 3.26

Entwässerungsverfahren

Biegefestigkeit

MPa

> 300

Drei-Punkte-Biegungswiderstandsmethode

Volumenwiderstand

Ohmcm

1.5x1013(TYP)

Volumenwiderstandsmesser

Dielektrische Konstante

@ 1MHz

8.9 (TYP)

Impedanzmethode

Dielektrische Verluste

@ 1MHz

4.6 × 10- 4(TYP)

Impedanzmethode

Spannung abbrechen

Kv/mm

36.85 (TYP)

Gleichspannungsmethode

Koeffizient der linearen Expansion

1 × 10-6/°C

4.75 (TYP)

Thermomechanische a

Verschiedene ArtenAluminiumnitridbleche

Wir können OEM und 0BM nach Ihren Zeichnungen und Anforderungen machen.

Aussergewöhnliche Materialeigenschaften:

Technische Überlegenheit

* Material mit hoher Reinheit: > 99% AlN-Zusammensetzung mit minimalen Verunreinigungen.

* Fortgeschrittene Fertigung: Die Drucklose Sintertechnologie sorgt für eine gleichmäßige Dichte.

* Präzisionstechnik: Garantie für eine Abmessungstoleranz von ±0,05 mm.

* Mehrere Oberflächen: Erhältlich als gebrannt, poliert oder metallisiert.

Qualitätszertifizierungen

* ISO 9001:2015 Zertifizierte Fertigung

* Gewährleistung der Konsistenz von Charge zu Charge

* Vollständige Dokumentation zur Rückverfolgbarkeit

* RoHS & REACH & CE-konform

Verpackung

Aluminiumnitrid Keramik AlN-Blatt/Platte/Substrat hoher Reinheit REACH CE-konform 5

Häufig gestellte Fragen

Q1. Liefern Sie Produktproben? Ja, wir liefern Proben, sofern verfügbar. In einigen Fällen kann eine nominelle Probengebühr anfallen, und die Versandkosten werden vom Kunden getragen.

F2: Welche Zahlungsmethoden akzeptieren Sie? Wir akzeptieren T/T (Banküberweisung), Western Union, Alipay und PayPal.

Q3. Wie ist Ihre typische Lieferzeit? Die Lieferzeiten variieren je nach Produktanforderungen, einschließlich der Materialauswahl, Abmessungen und spezifischen Herstellungsprozesse.

Q4. Führen Sie vor der Lieferung eine Qualitätsprüfung durch? Ja, wir führen vor der Lieferung eine 100%ige Inspektion aller Waren durch, um sicherzustellen, dass sie den angegebenen Standards entsprechen.

Q5. Welche anderen keramischen Materialien bieten Sie an? Wir liefern eine Reihe von fortschrittlichen keramischen Materialien, darunter Alumina, Zirkonia, Aluminiumnitrid, Bornitrid, Siliziumnitrid, bearbeitbare Glaskeramik,und zugehörige Spezialkeramik.

Größe und Tag:

Herkunftsort:	China
Markenname:	YH
Zertifizierung:	ISO
Modellnummer:	YH-A

Min Bestellmenge:	10
Preis:	Negotiated
Verpackung Informationen:	Karton
Lieferzeit:	5-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:	L/C, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	10000 Stück pro Monat

Aluminiumnitrid Keramik AlN-Blatt/Platte/Substrat hoher Reinheit REACH CE-konform

Aluminiumnitrid Keramik AlN-Blatt

AIN Substrat hoher Reinheit

Aluminiumnitrid-Keramik von hoher Qualität/AlN-Blatt/Platte/Substrat

1. Reinheit in industrieller Qualität

2Hohe Reinheit.

3. Ultra-hohe Reinheit

4Spezielle Reinheit.

Auswahlempfehlungen

AIN Aluminiumnitrid,

ALN Aluminiumnitrid,

ALN-Keramik

HTCC ALN Aluminiumnitrid Keramik Heizplatte hohe Wärmeleitfähigkeit

Aluminiumnitrid-Keramikplatte Scheibe Industrielle Keramik-Biegebearbeitungsservice

Spezielle Form Aln Aluminiumnitrid Keramikbauteile Strukturteile

Aluminiumnitrid Keramik AIN Substrat Pad Isolator für elektronische Komponente

AlN Aluminiumnitrid-Keramikplatten Elektrische Keramik für Elektronik

Anpassbare Aluminiumnitrid AIN Teile AlN Strukturkomponenten Rohr Hülse

OEM Hochtemperatur-AIN-Teile Halbleiter-Aluminiumnitrid-Rohrrohr

Spezielle Bearbeitung AIN Teile Aluminiumnitrid Ain Keramik Heizspülung 3,26 g/cm3

Regelmäßige Größe
Länge x Breite (mm)					Stärke (mm)
2' x 2' (50,8 x 50,8)	3' x 3' (76,2 x 76,2)	4' x 4' (101.6 x 101.6)	4.5' x 4,5' (114,3 x 114,3)	5' x 5' (127 x 127)	0.385
					0.5
					0.635
					1.0
Durchmesser (mm)					Stärke (mm)
Φ16 Φ19 Φ20Φ26Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ80					1.0
					1.2
					1.5
					2.0
					2.5

Artikel	Einheit	Referenzwert	Prüfmethode
Wärmeleitfähigkeit	W/m·K	> 170	Übergangsflächenquellenmethode
Oberflächenrauheit	μm	< 06	Stylus Oberflächenrauheitsmessgerät
Warpage	/	< 2,5‰	Glasmessgerät
Anscheinende Dichte	G/cm³	≥ 3.26	Entwässerungsverfahren
Biegefestigkeit	MPa	> 300	Drei-Punkte-Biegungswiderstandsmethode
Volumenwiderstand	Ohmcm	1.5x10¹³(TYP)	Volumenwiderstandsmesser
Dielektrische Konstante	@ 1MHz	8.9 (TYP)	Impedanzmethode
Dielektrische Verluste	@ 1MHz	4.6 × 10^{- 4}(TYP)	Impedanzmethode
Spannung abbrechen	Kv/mm	36.85 (TYP)	Gleichspannungsmethode
Koeffizient der linearen Expansion	1 × 10^-6/°C	4.75 (TYP)	Thermomechanische a