Informação detalhada

Coeficiente de expansão térmica:	4,5-5,3x10^-6 /K	Constante dielétrica:	8,5-9,5
Faixa de temperatura operacional:	-40°C a 1000°C	Condutividade térmica:	170-200 W/mK
Aplicativos:	Eletrônicos, dissipadores de calor, substratos	Acabamento de superfície:	Polido ou sinterizado
Densidade:	3,26g/cm³	Resistividade elétrica:	1x10^14 ohm-cm
Pureza:	99,5% ou superior	Material:	Nitreto de alumínio (AlN)
Tensão de ruptura:	10-15kV/mm	Cor:	Cinza claro a branco
Fator de forma:	Formas e tamanhos personalizáveis
Destacar:	Cerâmica de Nitreto de Alumínio AlN Chapa , Substrato AlN Alta Pureza

Descrição de produto

Cerâmica de nitreto de alumínio de alta qualidade/folha/placa/substrato de ALN

Os processos de gravação e deposição de wafers semicondutores exigem um controle térmico preciso para garantir a uniformidade do processo e a qualidade da wafer.

As nossas peças cerâmicas de forma especial AlN com condutividade térmica de 170 W/m·K são a combinação perfeita para estas aplicações rigorosas.

Fabricados através de tecnologia avançada de usinagem a partir de cerâmica AlN premium, estes componentes customizados, como os chucks de wafer,

As placas de aquecimento e os escudos térmicos proporcionam uma uniformidade térmica excepcional, eliminando os gradientes de temperatura na superfície da bolacha.

O seu coeficiente de expansão térmica é perfeitamente combinado com o silício, evitando a deformação da wafer e garantindo resultados de processo consistentes.

Com uma excelente resistência à corrosão a gases de processo agressivos e estabilidade a altas temperaturas, estas peças de forma especial AlN mantêm a sua resistência à corrosão.

Confie neles para otimizar os seus processos de gravação e deposição, aumentando os rendimentos de produção e a qualidade da wafer.

Cerâmica de Nitreto de Alumínio AlN Chapa / Placa / Substrato Alta Pureza Conformidade REACH CE 0

Aplicação
Aplicação da peça de nitreto de alumínio:
Aqui estão os níveis comuns de pureza do nitruro de alumínio em pó (AlN) e suas aplicações típicas:
1Purificação industrial• Intervalo de pureza: 95% - 98%•Aplicações: Geralmente utilizadas em aplicações em que a alta pureza não é crítica, como a cerâmica básica
materiais e compósitos.
2Alta pureza.• Intervalo de pureza: 99% - 99,5%•Aplicações: Adequado para a maioria das aplicações de embalagens eletrónicas e gestão térmica, bem como
Materiais cerâmicos de alto desempenho.
3Ultra-Alta Pureza• Intervalo de pureza: 99,5% - 99,99%•Aplicações: Utilizado em embalagens eletrónicas avançadas, embalagens LED e catalisadores de alto desempenho
suportes onde é necessária uma pureza extremamente elevada.
4Purificação especial.• Intervalo de pureza: > 99,99%•Aplicações: Utilizado em investigação científica específica e aplicações tecnológicas de alta precisão, tais como:
A indústria aeroespacial e os campos militares.
Recomendações de selecção•Escolher com base nos requisitos da aplicação: diferentes aplicações têm diferentes requisitos de pureza.

Tamanho normal

Comprimento x Largura (mm)

Espessura (mm)

2' x 2'
(50,8 x 50,8)

3' x 3'
(76,2 x 76,2)

4' x 4'
101,6 x 101,6

4.5' x 4,5'
(114,3 x 114,3)

5' x 5'
(127 x 127)

0.385

0.5

0.635

1.0

Diâmetro em mm

Espessura (mm)

Φ16 Φ19 Φ20Φ26Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ80

1.0

1.2

1.5

2.0

2.5

Desempenho que supera as alternativas

Ponto

Unidade

Valor de referência

Método de ensaio

Conductividade térmica

W/m·K

> 170

Método de fonte do plano transitório

A rugosidade da superfície

μm

< 0.6

Teste de rugosidade da superfície do lápis

Página de guerra

/

< 2,5‰

Medidor de vidro

Densidade aparente

g/cm3

≥ 3.26

Método de drenagem

Resistência à dobra

MPa

> 300

Método de resistência de dobra de três pontos

Resistência de volume

Ócm

1.5x1013(TYP)

Medidor de resistência de volume

Constante dieléctrica.

@ 1MHz

8.9 (TYP)

Método de impedância

Perda dieléctrica

@ 1MHz

4.6×10- Quatro(TYP)

Método de impedância

Desliga a tensão

Kv/mm

36.85 (TYP)

Método de alimentação em corrente contínua

Coeficiente de expansão linear

1 × 10-6/°C

4.75 (TYP)

Termo mecânico a

Vários tipos deFolhas de nitreto de alumínio

Podemos fazer OEM e 0BM de acordo com o seu desenho e requisitos.

Propriedades excepcionais do material:

Superioridade técnica

* Material de alta pureza: > 99% de composição de AlN com impurezas mínimas.

* Fabricação avançada: a tecnologia de sinterização sem pressão garante uma densidade uniforme.

* Engenharia de precisão: ± 0,05 mm de tolerância dimensional garantida.

* Multiplos acabamentos: As superfícies queimadas, polidas ou metalizadas estão disponíveis.

Certificações de qualidade

* Fabricação certificada ISO 9001:2015

* Garantia de consistência de lote para lote

* Documentação completa de rastreabilidade

* Compatível com os requisitos RoHS e REACH e CE

Embalagem

Cerâmica de Nitreto de Alumínio AlN Chapa / Placa / Substrato Alta Pureza Conformidade REACH CE 5

Perguntas frequentes

Q1. Fornece amostras de produtos? Sim, fornecemos amostras sujeitas à disponibilidade. Em alguns casos, uma taxa nominal de amostra pode ser aplicada e os custos de envio são suportados pelo cliente.

Q2. Quais são os seus métodos de pagamento aceitos? Aceitamos T/T (transferência bancária) antecipadamente, Western Union, Alipay e PayPal.

Q3. Qual é o seu prazo de entrega típico? Os prazos variam dependendo dos requisitos do produto, incluindo a seleção de materiais, dimensões e processos de fabricação específicos.

Q4. Você realiza inspeção de qualidade antes do envio? Sim, realizamos 100% de inspeção de todos os bens antes da entrega para garantir que eles atendam aos padrões especificados.

Q5. Que outros materiais cerâmicos você oferece? Nós fornecemos uma gama de materiais cerâmicos avançados, incluindo alumina, zircônio, nitreto de alumínio, nitreto de boro, nitreto de silício, cerâmica de vidro maquinável,e cerâmica especializada relacionada.

etiqueta:

Lugar de origem:	China
Marca:	YH
Certificação:	ISO
Número do modelo:	YH-A

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	caixa
Tempo de entrega:	5-8 semanas
Termos de pagamento:	L/C, T/T, Western Union
Habilidade da fonte:	10.000 unidades por mês

Cerâmica de Nitreto de Alumínio AlN Chapa / Placa / Substrato Alta Pureza Conformidade REACH CE

Cerâmica de Nitreto de Alumínio AlN Chapa

Substrato AlN Alta Pureza

Cerâmica de nitreto de alumínio de alta qualidade/folha/placa/substrato de ALN

1Purificação industrial

2Alta pureza.

3Ultra-Alta Pureza

4Purificação especial.

Recomendações de selecção

nitreto de alumínio ain,

nitreto de alumínio aln,

cerâmicas aln

HTCC ALN Folha de Aquecimento de Cerâmica de Nitreto de Alumínio Alta Condutividade Térmica

Serviço de Processamento de Dobra de Disco de Placa Cerâmica de Nitreto de Alumínio Industrial

Formas especiais personalizadas Aln Nitreto de alumínio Componentes cerâmicos Partes estruturais

Substrato de Cerâmica de Nitreto de Alumínio AIN Isolador de Almofada para Componente Eletrônico

Placas Cerâmicas de Nitreto de Alumínio AlN Cerâmicas Elétricas para Eletrônicos

Nitreto de alumínio personalizável Partes AIN AlN Componentes estruturais Manga de tubo

OEM Peças AIN de Alta Temperatura Tubos de Nitreto de Alumínio Semicondutores

Usinagem Personalizada de Peças de AIN

Tamanho normal
Comprimento x Largura (mm)					Espessura (mm)
2' x 2' (50,8 x 50,8)	3' x 3' (76,2 x 76,2)	4' x 4' 101,6 x 101,6	4.5' x 4,5' (114,3 x 114,3)	5' x 5' (127 x 127)	0.385
					0.5
					0.635
					1.0
Diâmetro em mm					Espessura (mm)
Φ16 Φ19 Φ20Φ26Φ30 Φ35Φ40 Φ45Φ50Φ52 Φ60 Φ75Φ80					1.0
					1.2
					1.5
					2.0
					2.5

Ponto	Unidade	Valor de referência	Método de ensaio
Conductividade térmica	W/m·K	> 170	Método de fonte do plano transitório
A rugosidade da superfície	μm	< 0.6	Teste de rugosidade da superfície do lápis
Página de guerra	/	< 2,5‰	Medidor de vidro
Densidade aparente	g/cm³	≥ 3.26	Método de drenagem
Resistência à dobra	MPa	> 300	Método de resistência de dobra de três pontos
Resistência de volume	Ócm	1.5x10¹³(TYP)	Medidor de resistência de volume
Constante dieléctrica.	@ 1MHz	8.9 (TYP)	Método de impedância
Perda dieléctrica	@ 1MHz	4.6×10^{- Quatro}(TYP)	Método de impedância
Desliga a tensão	Kv/mm	36.85 (TYP)	Método de alimentação em corrente contínua
Coeficiente de expansão linear	1 × 10^-6/°C	4.75 (TYP)	Termo mecânico a